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如何測(cè)量拉曼光譜儀的靈敏度?

更新時(shí)間:2022-08-16 瀏覽次數(shù):516次
  在測(cè)量拉曼光譜儀的靈敏度參數(shù)時(shí),有人提出,單晶硅的三階拉曼峰的強(qiáng)度跟硅分子的取向(什么111,100之類(lèi))的有關(guān),使用不同取向的硅使用與其相匹配的激光照射時(shí),其強(qiáng)度嚴(yán)重不一樣,是這樣嗎?不知道大家測(cè)量拉曼光譜儀的靈敏度時(shí)都是怎么測(cè)量的?
 
  1.是的,硅單晶片放置的方向不同峰的強(qiáng)度不同。一般只觀察520cm-1峰的強(qiáng)度,不同的硅片取向,不同倍數(shù)的物鏡,長(zhǎng)焦物鏡或短焦物鏡,520cm-1峰的強(qiáng)度都不同。
 
  2.520cm-1處好像不是硅的三階峰的位置吧,測(cè)試靈敏度的時(shí)候一般是硅的三階峰的信噪比來(lái)衡量呀。520處是跟硅的取向有關(guān)系,但是單晶硅的三階拉曼峰呢?

拉曼光譜

 


 
  3. 硅三階峰位置1440cm-1。
 
  4.關(guān)于硅晶體各向異性的說(shuō)明可以做偏振拉曼光譜,有些樓主同志說(shuō)拉曼強(qiáng)度跟光源強(qiáng)度,透鏡倍數(shù),等因素有關(guān),說(shuō)法沒(méi)錯(cuò),但是,這個(gè)跟硅的各向異性并沒(méi)多大關(guān)系,隨便一個(gè)樣品的拉曼強(qiáng)度都跟這些因素有關(guān)!
 
  硅的各向異性,比如,以VV偏振沿硅的111和110面做譜圖,在光源強(qiáng)度,透鏡倍數(shù)等因素都相同條件下拉曼強(qiáng)度是不一樣的,根據(jù)這些強(qiáng)度還有入射角度,偏振配置可以計(jì)算出硅的各向異性指標(biāo)!
 
  這里可能涉及到很多拉曼光譜的原理和偏振光學(xué),偏振配置等一些計(jì)算方法(涉及到的理論包括:群論,晶體結(jié)構(gòu)理論,固體物理,偏振光學(xué),拉曼原理等理論)。
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